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  铁素体耐磨衬板中的合金元素主要是铬和钼,为了改善某些性能,还可以加入、铌、钨、硼等合金元素。铬的影响铬是耐磨衬板中极重要的合金元素。当钢板中含Cr量足够高时,能在钢板的表面形成致密的Cr2O3氧化膜,这层氧化膜能在一定程度上阻止氧、硫、氮等腐蚀性气体向钢板中扩散,也能阻止金属离子向外扩散。   耐磨衬板的耐高温腐蚀性能与Cr量有一定的关系,当含Cr量达到12%时,钢板的高温抗氧化能力明显。此外,Cr的熔点高,本身就具有优异的抗蠕能,在低合金钢板中加入1%左右的Cr就能明显钢板的热强性。在耐磨衬板中,Cr通常是与Mo复合应用的,Cr能调节Mo在碳化物和固溶体之间的分配。   在利用Cr-Mo复合强化时,必须使Cr、Mo含量维持在交互作用的值,方能达到的强化效果。研究表明,1Cr-1/2Mo和Cr-1Mo的复合是恰当的。钼的影响钼是热强性的重要合金元素之一,耐磨衬板中一般都含有固溶于铁素体,能显著铁素体的再结晶温度,从而蠕变强度。   Mo同时能以细小的碳化物的形式析出,产生弥散强化作用。的影响主要是通过适当的热处理,生成细小的均匀分布的碳化物颗粒,使钢板得以强化。在Cr-Mo-V钢板中,由于V的碳化物十分,将碳固定而Cr、Mo等合金元素更多地溶入固熔体,这样,间接地起到了促进固溶强化的作用。




  复合耐磨板是一种用薄钢带卷成圆形钢板或异形截面钢板,并在其中填满一定成分的药粉,或在焊接钢板或无缝钢板中填满药粉,经拉拔制成的一种焊丝。复合耐磨板的电弧焊是利用连续送进的、可熔化的耐磨板与焊件之间的电弧所产生的高温,进行焊接的熔焊方法之一。   耐磨板电弧焊的电弧特性,基本上与熔化极气体保护焊相同;其熔滴过渡形式亦可为过渡、滴状过渡或纯短路过渡。耐磨板气体保护电弧焊复合耐磨板气体保护电弧焊与通常的熔化极气体保护焊的主要区别就在于耐磨板上,它除了采用辅助的外加保护气体以外,还有耐磨板熔化时产生的气体和熔渣的保护。   两种工艺所需的设备,包括焊在内,基本上是相同的。自保护耐磨板电弧焊这种方法与上述的复合耐磨板气体保护电弧焊的区别,主要是不用外加的辅助保护气体,依靠药芯熔化时产生的气体和熔渣保护熔滴和熔池。因此,这种方法称为自保护耐磨板电弧焊,所使用的焊丝称为自保护耐磨板。   自保护与辅助气体保护方法的区别还在于焊的形式和焊丝伸出长度。自保护方法中的焊丝伸出长度较长,有利于较高的熔敷速度,这是因为焊丝伸出部分较长而被电流预热得更好。自保护焊的焊,也可以与通常的熔化极气体保护焊焊相同,只是不通保护气而已目前国内多采用此种方式,因其方便而易行。



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  铁素体耐磨衬板在常温下冲击韧度低,当在高温长时间加热时,力学性能将进一步恶化,可能导致475℃脆化、脆性或晶粒等。奥氏体不绣钢在常温下屈强比低(40%-50%),而伸长率、断面收缩率和冲击吸收功很高。并具有高的冷加工硬化性。   某些奥氏体耐磨衬板经高温加热后,会产生相和晶界析出碳化铬引起的脆化现象。在低温下,铁素体和马氏体耐磨衬板的冲击吸收功很低,而奥氏体耐磨衬板则有良好的低温韧性。对含有百分之几铁素体的奥氏体耐磨衬板,更要注意低温下塑性和韧性降低的问题。   复合耐磨板的焊接化学冶金过程与焊接工艺有着密切的关系。改变工艺条件必然会引起冶金反应条件的变化,因而也就影响到冶金反应过程。这种影响可归结为以下两个方面:熔合比的影响熔合比可以改变复合耐磨板的焊缝金属的化学成分。   要保证焊缝金属成分和性能的性,必须严格控制焊接工艺条件,使熔合比、合理。例如,复合耐磨板在堆焊时总是焊接工艺规范使熔合比尽可能的小,以母材成分对堆焊层性能的影响。在异种钢焊接时,熔合比对焊缝金属成分和性能的影响甚大,因此要根据熔合比选择焊接材料。



  利用金相、透射电子显微镜研究了不同回火温度对复合耐磨板的显微组织与力学性能的影响,研究了氢在耐磨板中的扩散行为,用电子探针分析了热变形复合耐磨板微观组织中的碳浓度分布,同时结合慢应变速率拉伸实验研究了复合耐磨板的氢脆性。   复合耐磨板回火后组织变化明显,碳含量较高和晶粒显著细化作用使抗拉强度从1300MPa级到了1500MPa级,形变诱导铁索体晶粒中的碳含量明显过饱和。当扩散反应达到平衡态时,原子位移平均平方代换与反应时间成线性关系,随着焊后冷速的降低,冷却过程中逸出的氢增多。   通过试样充氢后放置试验,发现扩散氢量不受焊道数量的影响,在100~200℃保温时,复合耐磨板中逸出氢的总量变化不大,但逸出时间随温度的升高而明显缩短。在形变诱导铁素体相变过程中,碳没有发生明显的从铁素体向奥氏体扩散,当温度低于580℃热压退火处理时,扩散层厚度随Si含量的增加先急剧减小然后增大,其氢脆性也明显增加。   从热力学的角度分析,在高于奥氏体-铁素体平衡转变温度Ae3变形,在复合耐磨板基体晶界上严重偏析,生成Al-Cu相中脆的相(Al2Cu)。原子在x与y矢量方向扩散速度相近,且远大于z方向扩散速率,变形存储能的作用终降低了体系相变后的自由能,当温度高于580℃时,扩散层的厚度随Si含量的增加而增加。




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